[发明专利]功率器件和制造该功率器件的方法在审
| 申请号： | 202111419130.5 | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN115207099A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 金俊溶;黃瑄珪;金钟燮;朴俊赫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种功率器件及制造该功率器件的方法。该功率器件可以包括沟道层、在沟道层的相应侧的源极和漏极、在沟道层上在源极和漏极之间的栅极、覆盖源极、漏极和栅极的钝化层、以及在钝化层中的多个场板。所述多个场板可以具有不同的厚度。所述多个场板可以具有不同的宽度、不同的图案形状、或者不同的宽度和不同的图案形状两者。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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