[发明专利]一种抗有机硅中毒的双涂层H2

摘要

本发明属于半导体氧化物气体传感器技术领域，公开一种抗有机硅中毒的双涂层H2传感器及其制备方法。所述传感器为旁热式传感器，由Al2O3陶瓷管、两个环状金电极、四条铂丝引线、敏感内层、抗毒外层、铬镍加热丝、六脚管座组成；其中，敏感内层材料为纳米In2O3，抗毒外层材料为负载In2O3的氧化铝纤维。制备方法：（1）、制备敏感内层材料‑‑纳米In2O3；（2）、制备抗毒外层材料‑‑负载In2O3的氧化铝纤维；（3）、按旁热式传感器的制备工艺先涂覆敏感内层材料，再涂覆抗毒外层材料，制备双涂层H2传感器。本发明制备的传感器表现出良好的抗中毒性能，符合可燃气体探测器国家标准GB 15322.2‑2019对抗中毒性能的要求。