[发明专利]一种原位自生复合氮掺杂碳与镍钴双氢氧化物纳米片阵列电极及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202111421442.X | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN114121505A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 胡永明;姜无忧;王神送;黄浩;邓鹤鸣 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/36 |
| 代理公司： | 北京众允专利代理有限公司 11803 | 代理人： | 沈小青 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种原位自生复合氮掺杂碳与镍钴双氢氧化物纳米片阵列电极及其制备方法和应用，属于电极材料技术领域。本发明中，泡沫镍基底充当了促进电子传输的导电网格，制备的电极使氮掺杂碳自生复合于Ni‑CoLDH基体中，氮掺杂碳优异的导电性能够促进电极在储能过程中的电荷传输，该自生复合材料具有均匀共生、界面稳定、导电增强等特点；原位生长的Ni‑CoLDH纳米片阵列不仅继承了ZIF‑67的片状结构、多孔特性和稳定性，还具有优异的亲水性，并且在纳米片阵列结构上还生长了大量片状Ni‑CoLDH，有效避免了Ni‑CoLDH的堆叠、团聚和负载低等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原位 自生 复合 掺杂 镍钴双 氢氧化物 纳米 阵列 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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