[发明专利]半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器和电子设备在审
| 申请号： | 202111426129.5 | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN114256151A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 颜丙杰;谢景涛 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张岳峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器和电子设备。上述半导体器件的制作方法，包括：提供半导体结构，半导体结构包括多个浅沟槽隔离和多个位于相邻的两个浅沟槽隔离之间的鳍片；在半导体结构上形成图形化的硬掩膜，使得表面上无需形成栅极的预定鳍片裸露；对具有硬掩膜的半导体结构进行预定处理，使得预定鳍片的至少表面部分形成绝缘部分。该方法可以有效减轻由于预定鳍片与栅极的距离很近导致容易发生漏电的问题，并且，该方法中增加的绝缘部分可以缓解“栅极充电时，由于预定鳍片中的电荷会和栅极的电荷产生感应，使得预定鳍片和栅极之间的耦合太大”的问题，使得半导体器件的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 存储器 电子设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
