[发明专利]基于石墨烯/砷化镓肖特基结的近红外光电探测器

摘要

本发明涉及一种基于石墨烯/砷化镓肖特基结的近红外光电探测器，包括一n型砷化镓基底，所述n型砷化镓基底的背面沉积有背电极，正面沉积有绝缘层，所述绝缘层上通过蚀刻形成有窗口区，所述窗口区上蒸镀有氧化铝钝化层；所述绝缘层上设有正电极，所述氧化铝钝化层上具有石墨烯层，且所述石墨烯层的一部分与所述正电极接触；所述石墨烯层上涂布有银纳米颗粒。本发明的基于石墨烯/砷化镓肖特基结的近红外光电探测器，能够在降低器件暗电流的同时增大光电流，从而使探测器的响应度、探测率得到提高。