[发明专利]等离子体工艺装置及利用其的半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202111427758.X | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114582697A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 卢收练;姜廷锡;梁映轘;李学俊 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;王艳春 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体工艺装置。等离子体工艺装置包括：腔室，在所述腔室中执行等离子体工艺；卡盘，布置在所述腔室的内部，并且晶片被提供到所述卡盘；气体供应器，布置在所述卡盘的上方，并且向所述腔室的内部提供工艺气体；OES端口，沿着所述腔室的侧壁在竖直方向上延伸，并且接收从第一位置处的等离子体放出的第一光和从第二位置处的等离子体放出的第二光中的每个，所述第二位置比所述第一位置更靠近所述气体供应器；OES传感器，通过感测所述第一光来测量第一等离子体数据，并且通过感测所述第二光来测量第二等离子体数据；以及控制部，利用所述第一等离子体数据和所述第二等离子体数据来控制所述等离子体工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 工艺 装置 利用 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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