[发明专利]一种利用光致应变诱导产生及擦除磁性斯格明子的方法及装置在审
| 申请号： | 202111428655.5 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN114335332A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 侯志鹏;王亚栋;孟家慧;陈家文;高兴森 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;G11C11/15 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 辜丹芸 |
| 地址： | 510000 广东省广州市番禺区广州大*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种利用光致应变诱导产生及擦除磁性斯格明子的方法，包括以下步骤：S1：在偶氮苯液晶薄膜上通过磁控溅射制备具有介于垂直各向异性与水平各向异性之间的临界各向异性的磁性多周期膜；S2：通过微纳加工技术在步骤S1制得的磁性多周期膜上制备磁性纳米点阵列；S3：利用光诱导产生斯格明子：通过施加355～375nm的光脉冲，产生斯格明子；S4：利用光擦除斯格明子：通过施加510～530nm的光脉冲，使斯格明子态不能稳定存在，回复为铁磁态。本发明还提供一种磁性斯格明子的写入及擦除装置，包括磁性多周期膜、光致应变衬底和光诱导单元。本发明的方法和装置产生和擦除斯格明子消耗的能量较低，器件稳定性强，有利于器件微型化发展。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 应变 诱导 产生 擦除 磁性 明子 方法 装置 | ||
【主权项】：
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