[发明专利]含二硫键超支化聚硅氧烷荧光材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202111429819.6 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN114015050B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 白天;余森;周文昊 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | C08G77/28 | 分类号： | C08G77/28;C08G77/06;C09K11/06 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 马小燕 |
| 地址： | 710016 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含二硫键超支化聚硅氧烷荧光材料及其制备方法，该方法以含二硫键的二元酸或含二硫键的二元醇与硅烷单体作为原料，经亲核取代缩聚反应，制备得到含二硫键超支化聚硅氧烷荧光材料。本发明以含硫二元酸或含硫二元醇与硅烷单体作为原料，通过亲核取代缩聚反应在超支化聚硅氧烷中引入动态可逆的共价键二硫键，得到含二硫键超支化聚硅氧烷荧光材料，无需催化剂和溶剂，合成工艺简单，过程容易控制，副反应产物少，在增强其荧光强度的同时赋予多刺激响应特征，且该含二硫键超支化聚硅氧烷荧光材料的生物相容性好，量子产率高，适用于细胞成像、离子检测和固体发光材料等多个领域。 | ||
| 搜索关键词： | 二硫键 超支 化聚硅氧烷 荧光 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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