[发明专利]半导体垂直场效应器件制备方法在审
| 申请号： | 202111429862.2 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN116190317A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 孟敬恒;罗杰;孙红波 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 田春龙 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区亦庄经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体垂直场效应器件制备方法，包括以下步骤：S100对晶圆进行加工形成栅极部位暴露的垂直场效应器件雏形，对暴露的栅极部位进行各向同性刻蚀，形成栅极的门槽；S200采用氧化生长在栅极形成氧化层；S300在门槽中填充金属形成自对准字线；S400采用外延生长工艺在晶圆的硅表面上部形成漏极。本发明在制备过程中可以根据需要精确地进行晶体管通道的长度及直径和栅极字线的高度和厚度调节，同时可以使栅极氧化层和位线金属的底部平整度更好，从而调节电流，减少漏电，由于位线整体集成，工艺流程简化，降低了制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 垂直 场效应 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
