[发明专利]一种压接式半导体功率模块在审
| 申请号： | 202111431388.7 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN114203661A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 吕宏水;王蕤;陈紫默;童颜;王豹子;严百强;晁武杰;林国栋 | 申请（专利权）人： | 南瑞联研半导体有限责任公司;国网福建省电力有限公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L29/417;H01L29/739 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 211100 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种压接式半导体功率模块，包括发射极导体和M个发射极凸台，N个所述发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，且N≤M，所述焊料于焊接后形成焊层，所述焊层于发射极凸台和发射极导体间压力达到指定值时发生塑形变形，且发射极凸台和发射极导体中的杨氏模量均大于焊层的杨氏模量。本发明通过将发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，减小压接式IGBT模块工作状态下各芯片间应力不均衡现象，提升各芯片间的受力一致性及压接式模块可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压接式 半导体 功率 模块 | ||
【主权项】：
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