[发明专利]快闪存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111433536.9 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN114141866A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 顾珍;张磊;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的快闪存储器及其制备方法，包括：衬底，所述衬底上具有沟槽和位于所述沟槽底部的源区；源线层，位于所述沟槽内中且向上延伸；金属浮栅结构，包括多晶硅层及两个金属浮栅层，两个所述金属浮栅层均位于所述沟槽内且分别位于所述源线层的两侧，且所述金属浮栅层的高度大于所述源线层的高度，所述多晶硅层包裹所述金属浮栅层高于所述源线层的部分的至少部分外表面；两个字线层，分别位于一个所述金属浮栅的外侧。所述金属浮栅层可以极大提升擦写效率，同时在金属浮栅层高于所述源线层的部分的至少部分外表面上包裹多晶硅层，降低金属浮栅结构整体的功函数和势垒，使擦写电压更低，进而提高擦写速度。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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