[发明专利]一种增强特殊分布缺陷检测的方法在审
| 申请号： | 202111433602.2 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN114141649A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 金鑫;瞿燕;刘飞珏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种增强特殊分布缺陷检测的方法，包括：在缺陷扫描机台进行缺陷扫描，以生成晶圆缺陷分布图；对缺陷分布图进行图形算法处理，以判断缺陷分布图是否具有特殊分布缺陷图；对不具有特殊分布缺陷图的晶圆，根据相应制程之缺陷控制规范所设定的OOC/OOS值按照第一规则检查判断；对具有特殊分布缺陷图的晶圆，进行图形算法处理，并对特殊分布缺陷图进行提取和分类，匹配不同的OOC/OOS值，按照第二规则检查判断。本发明进一步增加特殊分布缺陷图定义，并匹配不同的OOC/OOS值，以对具有特殊分布缺陷图的晶圆进行检查判断，不仅时效性强，可及时发现特殊分布缺陷图，而且取样针对性高，增强对特殊分布缺陷群取样检查，增加样本量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 特殊 分布 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
