[发明专利]具有散热结构的SOI晶圆及其制备方法有效
| 申请号： | 202111435967.9 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN114171475B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 刘森;刘海彬;罗建富;刘兴龙;史林森;班桂春 | 申请（专利权）人： | 微龛（广州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L27/12;H01L23/373;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 510663 广东省广州市高新技术*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有散热结构的SOI晶圆及其制备方法，该SOI晶圆依次包括：体硅晶圆、埋氧层及硅器件层；埋氧层及硅器件层中形成有贯穿埋氧层及至少部分厚度的硅器件层的沟槽，沟槽中填充有高热导率材料，高热导率材料采用散热胶固定；硅器件层包括至少一个有源区，高热导率材料围绕在有源区外周。通过在埋氧层及硅器件层中设置将有源区包围的沟槽，并在沟槽中填充高热导率材料，则热量可通过高热导率材料实现对器件结构的精准散热；另外，随着现有集成电路的三维集成度提高及尺寸的不断减小，采用本发明的散热结构，可将每层集成电路器件产生的热量通过每层中的高热导率材料有效散出，从而有效解决三维集成电路中间层叠区域散热难的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 散热 结构 soi 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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