[发明专利]增强型GaN基复合开关器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202111439008.4 | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN114141872A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 毛维;裴晨;杨翠;杜鸣;马佩军;张鹏;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/47;H01L29/45;H01L29/06;H01L27/085;H01L21/335 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型GaN基复合开关器件及其制作方法，主要解决现有氮化镓基增强型功率开关器件的只能单向导通和单向阻断问题。其自下而上包括：衬底、过渡层、势垒层和钝化层，势垒层上部左、右两侧分别设有m个左、右P‑GaN岛，该左右岛的前、后两侧分别设有左、右隔离槽，且左岛左侧交叉分布有左源极与左阳极，该左源极与左阳极通过左电极连接，右岛右侧交叉分布有右源极与右阳极，该右源极与右阳极被右电极连接，左、右岛上分别为左、右栅极，这些栅极被钝化层部分覆盖，且左右岛与对应的右左阳极之间，均通过势垒层连接，形成二极管与三极管复合结构。本发明能提升器件集成度，实现双向导通和双向阻断特性，可作为功率开关器件。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 gan 复合 开关 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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