[发明专利]一种单晶FBAR压电薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202111442142.X | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114362704A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 董树荣;轩伟鹏;刘刚;金浩;高峰;骆季奎 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种空腔薄膜体声波谐振器，包括第一衬底、键合层、不透明介质层、压电振荡堆和金属pad层；其中，第一衬底上形成键合层，键合层上形成不透明介质层，不透明介质层上形成压电振荡堆，不透明介质层与压电振荡堆之间具有空腔，金属pad层与压电振荡堆相连。该谐振器表面粗糙度较低，同时该薄膜各区域厚度能够被较为方便和准确的测量。本发明还公开了一种空腔薄膜体声波谐振器的制备方法，该制备方法节省制备工序，简单、高效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fbar 压电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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