[发明专利]低溢出低拖尾的TDICMOS成像系统在审
| 申请号： | 202111444717.1 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114095623A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 余达;刘金国;周怀得;孔德柱;陈佳豫;赵莹;宋元章 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H04N5/217 | 分类号： | H04N5/217;H04N5/353;H04N5/374 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 朱红玲 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 低溢出低拖尾的TDICMOS成像系统，涉及TDICMOS成像技术领域，解决现有技术中存在不使用的感光级数累计的电荷清除不干净导致造成感光图像的污染以及TDI积分积分级数过多，造成电荷溢出而转移不完全，在图像上出现拖尾现象等问题，本发明在每行的末段进行不用感光电荷的清除，通过积分级数的切换并进行时序复位操作来避免清除操作对有用感光区域电荷的影响；通过太阳高度角和地物反射率的估算来对入射光能量的预估，通过设置合理的积分级数，避免累积的电荷过多而出现拖尾现象。从而保证在入射光能量较强的情况下，获取高成像质量的图像，不会出现溢出，也不会出现拖尾。 | ||
| 搜索关键词： | 溢出 低拖尾 tdicmos 成像 系统 | ||
【主权项】：
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