[发明专利]基于楔形钴铂组分梯度薄膜的磁性随机存储器及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于楔形钴铂组分梯度薄膜的磁性随机存储器及制备方法。本发明从上到下依次为保护层、薄膜层、缓冲层，并在四周设有电极。其中保护层、薄膜层和缓冲层经过刻蚀微纳加工成的结构为十字结构，所述的薄膜层从下到上由Pt、Co、Pt、Co、Pt、Co、MgO结构构成，其中最下层的Pt和最上层的Co为楔形结构。在沿着垂直楔形层变化方向通入的调控电流Is，器件另外两电极检测薄膜层的电阻值的变化，当连续通入同一方向脉冲电流时电阻会连续改变至极值。本发明可以通过电流调控，实现高效存储。