[发明专利]一种低应力GaN基发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202111446395.4 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114141917A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 闫其昂;王国斌 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低应力GaN基发光二极管外延片及其制备方法。所述外延片包括沿指定方向依次设置的衬底、低温GaN缓冲层、高温非掺杂GaN层、n型GaN层、n型AlInN前势垒层、浅发光层、n型AlInN后势垒层、预发光层、多量子阱层发光层、低温p型GaN层、p型AlGaN电子阻挡层和高温p型GaN层，所述n型AlInN前势垒层至少用于阻挡电子向所述n型GaN层回流。本发明中的低应力GaN基发光二极管外延片，通过高低掺杂的AlInN前势垒层形成高的能垒，能够阻挡电子回流，形成电子有效注入，同时通过AlInN后势垒层实现发光层的晶格匹配，降低极化效应，增强辐射复合发光，提高二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应力 gan 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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