[发明专利]Cu-SnO2有效

专利信息
申请号: 202111449351.7 申请日: 2021-11-30
公开(公告)号: CN114134569B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 何云斌;黎明锴;刘凤新;卢寅梅;陈剑;尹向阳;郭启利;李永昌;刘伟;邓云 申请(专利权)人: 湖北大学;广州金升阳科技有限公司
主分类号: C30B29/16 分类号: C30B29/16;C30B1/04;C23C14/08;C23C14/28;C23C14/58;H01L29/872
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 张晓博
地址: 430062 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种Cu‑SnO2单晶薄膜及其制备方法和应用,涉及半导体技术领域。本发明提供的Cu‑SnO2单晶薄膜的制备方法包括:制备Cu‑SnO2陶瓷靶材;提供一衬底,利用Cu‑SnO2陶瓷靶材在所述衬底表面制备Cu‑SnO2薄膜层;在氧气的气氛下,对Cu‑SnO2薄膜退火,最后对退火后的Cu‑SnO2薄膜进行O2等离子体处理。将本发明的Cu‑SnO2单晶薄膜作为半导体层制备肖特基二极管,可实现金属电极和二氧化锡单晶薄膜的肖特基接触,所设计的环形电极可通过调节两种金属电极的间距调节漏电流的大小,从而调节二极管的反向耐压值。本发明制备的Cu‑SnO2肖特基二极管具有高的肖特基势垒高度、良好整流特性和高的反向击穿电压。
搜索关键词: cu sno base sub
【主权项】:
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