[发明专利]三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法有效
| 申请号： | 202111453598.6 | 申请日： | 2021-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN113866690B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 赵东艳;王于波;陈燕宁;邵瑾;付振;王帅鹏;朱大鹏;周敏;周芝梅;王立城;赵巍胜;曲俊达;夏清涛;关心 | 申请（专利权）人： | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;北京航空航天大学青岛研究院 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陈潇潇 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁传感器领域，提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器，包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结；所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应，利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量，相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器，灵敏度更高，易于集成。 | ||
| 搜索关键词： | 三轴隧穿 磁电 传感器 及其 制备 方法 使用方法 | ||
【主权项】：
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