[发明专利]一种低损硅基滤波器及其制作方法有效
| 申请号： | 202111454087.6 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114142192B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 万晶;梁晓新 | 申请（专利权）人： | 昆山鸿永微波科技有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20;H01P1/212;H01P11/00 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 孙茂义 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆山市玉山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低损硅基滤波器及其制作方法，包括：n个硅腔谐振单元，每个硅腔谐振单元分别包括第一金属层、厚膜层、高阻硅介质层和第二金属层，所述第一金属层、厚膜层、高阻硅介质层和第二金属层上下依次层叠，所述高阻硅介质层上设置有硅坑，所述硅坑位于对应第一金属层的正下方，所述硅坑的底部呈锯齿状或者连续的波浪状。通过上述方式，本发明所述的低损硅基滤波器及其制作方法，通过在高阻硅介质层上刻蚀硅坑并在硅坑的底部形成锯齿状或者连续的波浪状结构，实现了提高硅基滤波器Q值、减小损耗以及小型化的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低损硅基 滤波器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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