[发明专利]晶圆处理设备和用于处理晶圆的方法在审
| 申请号： | 202111458265.2 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114592182A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 永冈达司;三宅裕树;西中浩之;梶田优气;吉本昌广 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社;国立大学法人京都工芸纤维大学 |
| 主分类号： | C23C16/448 | 分类号： | C23C16/448;C23C16/02;C23C16/455;C23C16/52;H01L21/67 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王永建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 晶圆处理设备配置为通过将雾供给到晶圆表面来处理晶圆。晶圆处理设备包括其内布置晶圆的炉、配置为向炉中供给气体的气体供给装置、向炉中供给雾的雾供给装置、以及控制器。控制器配置为通过控制气体供给装置和雾供给装置以分别将气体和雾供给到炉中来执行处理步骤。控制器还配置为在处理步骤结束时控制气体供给装置以停止将雾供给到炉中同时控制气体供给装置以保持将气体供给到炉中。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 设备 用于 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
