[发明专利]Hf-Si-O-N-M五元系统反应热压烧结制备HfN基复合陶瓷的方法在审

专利信息
申请号: 202111458943.5 申请日: 2021-12-01
公开(公告)号: CN113999016A 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 陆有军;刘乡;徐倩;刘洋;沈宏芳;李茂辉;孙文周;张笑;马波;侯俊峰 申请(专利权)人: 北方民族大学
主分类号: C04B35/58 分类号: C04B35/58;C04B35/622;C04B35/645
代理公司: 银川瑞海陈知识产权代理事务所(普通合伙) 64104 代理人: 贠天娥
地址: 750000 宁夏回族*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 发明提供了一种Hf‑Si‑O‑N‑M五元系统反应热压烧结制备HfN基复合陶瓷的方法,包括以下步骤:(1)HfO2、Si3N4及MxOy(BaO、SrO及La2O3)粉料混合均匀得到混合物料;(2)将混合物料放入石墨模具内,在N2保护下,以15~25℃/min的升温速率加热至保温温度1500~1600℃,并保温1~3h,然后随炉冷却,加热过程中,在炉温为1000~1400℃时开始向模具逐步加压,直至炉温达到保温温度时加压至保压压力15~25MPa,并保压1~2h。本发明通过引入强碱性氧化物结合热压烧结工艺,有效固定HfO2‑Si3N4系统中挥发性的Si、N元素,促进HfO2‑Si3N4取代反应生成HfN,生成相应的共存相,以达到降低反应温度和体系烧失率的目的,且反应生成的硅酸盐、含氮硅酸盐、铪酸盐物质可促进陶瓷的致密化,提高HfN基陶瓷材料致密度,提升陶瓷力学性能。
搜索关键词: hf si 系统 反应 热压 烧结 制备 hfn 复合 陶瓷 方法
【主权项】:
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