[发明专利]一种锗基砷化镓太阳电池及制备方法

摘要

本发明公开了一种锗基砷化镓太阳电池及制备方法，属于太阳电池技术领域，从下至上依次包括：锗衬底、GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一隧穿结、Ga1‑aInaAs晶格渐变缓冲层、(AlGa)1‑bInbAs/Ga1‑bInbAs第一周期结构过冲层、Ga1‑cIncAs子电池、第二隧穿结、(AlGa)1‑dIndAs/Ga1‑dIndAs周期结构晶格渐变层、(AlGa)1‑eIneAs/Ga1‑eIneAs第二周期结构过冲层、Ga1‑fInfAs1‑gPg子电池、第三隧穿结、(AlGa)1‑hInhP子电池和Ga1‑jInjAs帽层。能够提高锗基砷化镓太阳电池的光电转换效率和抗辐照性能。