[发明专利]隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法有效
| 申请号： | 202111460490.X | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN113866691B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 赵东艳;陈燕宁;王于波;邵瑾;王帅鹏;朱大鹏;李秀伟;李腾浩;董广智;王立城;赵巍胜;王春旭;夏清涛;张丹丹 | 申请（专利权）人： | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;北京航空航天大学青岛研究院 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陈潇潇 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁传感器领域，提供一种隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述隧穿磁电阻传感器，自下而上依次包括下电极、反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、隧穿绝缘层、铁磁自由层及上电极，还包括设置于所述上电极与所述铁磁自由层之间的氧化层；所述氧化层在被施加可控强度的电压的条件下，所述氧化层中的氧离子在电场作用下迁移至所述氧化层与所述铁磁自由层的界面处，改变所述铁磁自由层的磁各向异性，使得所述隧穿磁电阻传感器的隧道结动态范围发生变化。本发明利用可调控的电场驱动氧化层中的氧离子运动，从而改变铁磁自由层的磁各向异性，实现对隧穿磁电阻传感器的动态范围的调控，可满足不同应用环境下的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 传感器 及其 制备 方法 使用方法 | ||
【主权项】：
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