[发明专利]一种层次孔碳材料及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202111461053.X | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114275759A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡力锋;詹杰茗;杨磊 | 申请（专利权）人： | 莆田学院 |
| 主分类号： | C01B32/05 | 分类号： | C01B32/05;B01J20/20;B01J20/10;H01G11/34;H01G11/44;H01G11/86 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 林燕 |
| 地址： | 351100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及有机多孔材料领域，尤其涉及一种层次孔碳材料及其制备方法与应用。通过采用三氯(4‑氯甲基苯基)硅烷对SiO2纳米球进行表面改性,得到表面含苄基氯化学官能团的R‑SiO2模板剂。随后,以DCX‑为自交联功能单体在R‑SiO2表面原位超交联反应得到R‑SiO2@DCX，去除R‑SiO2@DCX‑的‑SiO2纳米球模板后制得HPP，最后进行高温碳化处理得到HPC。本发明制备了含苄基的SiO2反应性模板剂，借助反应性模板剂诱导原位超交联反应制备出同时具有微孔‑中孔‑大孔的层次孔材料，其制备的层次孔碳材料样品结构稳定，且具有较好的较好吸附性能和电容性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 层次 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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