[发明专利]一种适用于耐高压、高可靠性的X8R型BCZT基BME-MLCC介质材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 202111461897.4 申请日: 2021-12-02
公开(公告)号: CN114057483B 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 王晓慧;甄一超;赵培尧;程旭;肖梦简;朱超琼 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C04B35/49 分类号: C04B35/49;H01G4/12;H01G4/30;C04B35/622;C04B35/64;C04B35/628
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 王春霞
地址: 100084 北京市海淀区1*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种适用于耐高压、高可靠性的X8R型BCZT基BME‑MLCC介质材料及制备方法。所述BCZT基介质材料的分子式如式Ⅰ所示:式Ⅰ中,(Ba1‑xCax)(Ti1‑y‑zCayZrz)O3中,x表示A位中Ca的摩尔分数,0.01≤x≤0.05,y表示B位中Ca的摩尔分数,0.01≤y≤0.05,z表示Zr的摩尔分数,0.01≤z≤0.05。本发明采用的BCZT相比广泛使用的BaTiO3,其居里温度可以达到125~135℃,通过化学包覆改性,可以使介质材料室温介电常数达到1800~2800,并满足更高的使用温度要求,进而制备出满足X8R特性的MLCC抗还原性介质材料。本发明BCZT基耐高压、高可靠性的X8R型超薄层BME‑MLCC的介质材料研究具有重要的实际应用意义。(Ba1‑xCax)(Ti1‑y‑zCayZrz)O3‑MgO‑MnO2‑BaCO3‑SiO2‑R2O3式I。
搜索关键词: 一种 适用于 高压 可靠性 x8r bczt bme mlcc 介质 材料 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111461897.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top