[发明专利]室温磁热材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种室温磁热材料及其制备方法。所述室温磁热材料的制备方法包括：步骤一：采用磁控溅射沉积技术在基底上制备Gd5Si2Ge2合金薄膜；步骤二：采用磁控溅射沉积技术，在Gd5Si2Ge2合金薄膜上制备Ni50Mn37Sb13合金薄膜，获取由GdSiGe/NiMnSb合金薄膜复合成的第一复合薄膜材料；步骤三：采用磁控溅射沉积技术，在所述第一复合薄膜材料的表面制备Ni50Mn37Sn13薄膜，获取由GdSiGe/NiMnSb/NiMnSn合金薄膜复合成的第二复合薄膜材料；步骤四：采用磁控溅射沉积技术，在所述第二复合薄膜材料的表面制备Ni50Mn35In15薄膜，以获取由GdSiGe/NiMnSb/NiMnSn/NiMnIn合金薄膜复合成的室温磁热材料。本发明提供的室温磁热材料的制备方法简单易操作，具有实用价值，且该复合材料成本低廉，环境友好无污染。