[发明专利]高性能基座设备在审
| 申请号： | 202111464473.3 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN114597157A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 高培培;王文涛;林兴;H.叶;I.H.赵;F.高;S.栾;A.德莫斯 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及一种高性能基座设备，并公开了一种配置为支撑衬底并从基座提升衬底的衬底支撑和提升组件。该衬底支撑和提升组件可以包括基座支撑件和提升销。基座支撑件可以配置为在其上支撑基座。基座支撑件包括多个支撑臂，每个支撑臂从基座支撑件的中心部分径向延伸到末端。多个支撑臂中的每个包括延伸穿过其中的孔口。提升销可以配置为穿过相应支撑臂的孔口装配，以提升基座上的衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 基座 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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