[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202111464542.0 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN114597262A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 大川成实 | 申请（专利权）人： | 联华电子日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 崔抗 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 半导体装置包括半导体衬底、鳍状结构、栅极结构、第一掺杂区、第二掺杂区和中间区。鳍状结构设置在半导体衬底的顶表面上并在竖直方向上从其延伸。栅极结构设置为跨越鳍状结构的一部分。第一掺杂区的至少一部分设置在鳍状结构中。第二掺杂区设置在鳍状结构中并且在竖直方向上设置在第一掺杂区上方。中间区设置在鳍状结构中。第二掺杂区通过中间区与第一掺杂区分开，并且栅极结构的底表面在竖直方向上低于第一掺杂区的顶表面或与其共面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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