[发明专利]一种高阈值电压和高漏极工作电流的常闭型异质结场效应晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 202111464913.5 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN114156341A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 王奕锦;余晨辉;陈志鹏;俞彦伟;何嘉诚;高子建;罗曼 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/207;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 马玉雯 |
| 地址： | 226001 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高阈值电压和高漏极工作电流的常闭型异质结场效应晶体管结构及制备方法，自下至上依次为衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、具有NPN双极型晶体管结构的GaN沟道层、AlGaN势垒层；所述AlGaN势垒层两端设有钝化层，所述AlGaN势垒层上设有GaN帽层；所述GaN帽层上方引出有肖特基接触的栅极，所述栅极GaN沟道层两端上方引出有肖特基接触的源极和漏极。与传统器件相比，本发明创造性地在栅极位置下方的GaN沟道层中引入了一个NPN双极型晶体管结构，能够同时提高器件的阈值电压和漏极工作电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阈值 电压 高漏极 工作 电流 常闭型异质结 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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