[发明专利]半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 202111466636.1 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN114284204A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 谢岩;杨帆;宋胜金 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供一基底，基底包括衬底和介质层，介质层中嵌设有金属层以及阻挡层；形成隔离层；执行第一次刻蚀工艺，刻蚀隔离层和介质层直至暴露出阻挡层，通孔的侧壁和底部形成有第一聚合物；去除第一聚合物；执行第二次刻蚀工艺，刻蚀阻挡层直至暴露出金属层。本发明分两次逐步刻蚀，并在两次刻蚀工艺之间去除第一聚合物，避免第一聚合物与第二次刻蚀工艺产生的第二聚合物二者结合在一起，降低了去除聚合物的难度；并且第二次刻蚀因仅需刻蚀阻挡层，可以采用较低偏置功率刻蚀，降低了金属层的金属粒子溅射程度，提高了半导体器件的耐压性能，提高了电压击穿测试项的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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