[发明专利]石墨烯/等离子激元黑硅近红外探测器结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种石墨烯/等离子激元黑硅近红外探测器结构及其制备方法，此结构包括n型硅片，所述硅片的正面中部设有等离子激元黑硅，所述硅片的正面周侧设置有二氧化硅层，所述二氧化硅层上设有正面电极，所述等离子激元黑硅上设有石墨烯层，所述石墨烯层的周侧延伸并与所述正面电极接触；所述硅片的背面有背电极。本发明能够显著改善光电性能，拓宽响应光谱范围，增强响应度。