[发明专利]一种磁致伸缩薄膜靶材结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111471740.X | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN114318252A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王建波;张智杰;吴新建;董亭亭;齐志强 | 申请（专利权）人： | 华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所） |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;H01F41/18 |
| 代理公司： | 武汉凌达知识产权事务所(特殊普通合伙) 42221 | 代理人： | 刘念涛 |
| 地址： | 430000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种磁致伸缩薄膜靶材结构，包括圆形铁靶和设置在铁靶上的同心刻蚀环，刻蚀环上沿径向交替设置有镝片和铽片，铽片和镝片采用铟固定，铽片与镝片的表面积之和与铁靶表面积之比为1:2α，其中α为相同溅射条件下铽靶和镝靶与铁靶的溅射速率的比值；还公开了其制备方法；本发明可以快速估算得到铽片和镝片的尺寸、数量和摆放位置，方法简单，操作便捷的调节薄膜中各成份的比例，制备出饱和场低、磁致伸缩系数高等性能优异的磁致伸缩薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 伸缩 薄膜 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所），未经华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111471740.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于显控台的个性化自动调光系统
- 下一篇：一种变电站设备缺陷检测方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
