[发明专利]一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111473559.2 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN114267662A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;耿雪其;王成迁 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/498;H01L25/07;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 叶昕;杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路封装技术领域，具体涉及一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法，包括：第一硅基底：第一硅基底的上表面设有第一金属层；第二硅基底：第二硅基底上分别设有TSV结构、芯片腔体和砷化镓射频芯片，其第二硅基底的下表面设有第二金属层，砷化镓射频芯片有源面朝外埋入芯片腔体中；介质层：介质层覆盖在第二硅基底的上表面；特征通孔：特征通孔图形化设置在介质层中；布线层：布线层设置在介质层的上表面，砷化镓射频芯片背金接地面通过导电粘结层和金属键合层实现芯片背金接地面与外部TSV金属通孔的连接，通过外部TSV金属通孔将芯片背金面接地信号端引出到芯片有源面同一平面，再通过对晶圆再布线形成扇出型封装体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 砷化镓 射频 芯片 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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