[发明专利]一种纳米半导体太阳能电池以及制备方法及其制备方法在审
| 申请号： | 202111477533.5 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN114156410A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 袁志刚 | 申请（专利权）人： | 深圳市贝尔太阳能技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 深圳市鼎圣霏凡专利代理事务所(普通合伙) 44759 | 代理人： | 徐晶 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米半导体太阳能电池以及制备方法，其特征在于，包括平面电极以及半导体电池浆料；所述半导体电池浆料是由如下按重量份计的各组分制成：导电剂3‑5份、异质掺杂无机半导体粒子5‑8份、有机半导体纳米线3‑5份、成膜物质6‑10份、超支化聚苯胺改性碳纳米管0.8‑1.5份、溶剂8‑13份。本发明还提供了一种所述半导体电池的制备方法。本发明公开的半导体电池制备成本低廉，欧姆接触特性较高，串联电阻较小，光电转换效率高，循环使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 半导体 太阳能电池 以及 制备 方法 及其 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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