[发明专利]一种基于蓝宝石衬底的氮化铝外延片的制备方法

摘要

本发明属于半导体电子器件技术领域，具体涉及一种基于蓝宝石衬底的氮化铝外延片的制备方法。该方法主要在buffer阶段进行工艺优化，在生长buffer阶段温度梯度循环变化生长，三甲基铝源长通，NH3周期变化通入。优化的buffer层长完后，再岛状(3D)及二维(2D)生长，制得氮化铝过渡层；在所述氮化铝过渡层上依次生长非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层和P型接触层，制得基于蓝宝石衬底的氮化铝外延片。通过该工艺生长的AlN薄膜材料，可以改变位错的倾斜行为，减少位错密度，减少AlN外延片裂纹，提高晶体质量，获得较好的AlN薄膜材料，从而达到直接改善产品的器件光电性能。