[发明专利]一种利用等离子体增强原子层沉积制备压电AIN薄膜的方法在审
| 申请号： | 202111484161.9 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114214726A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 陆桥宏;何东旺;曹俊 | 申请（专利权）人： | 江苏籽硕科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/12 | 分类号： | C30B28/12;C30B29/40;C23C16/455;C23C16/40;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/50 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 韩睿 |
| 地址： | 225300 江苏省泰州市医药高新技术产业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用等离子体增强原子层沉积制备压电AIN薄膜的方法，涉及压电薄膜制备技术领域，先对基片表面清洁和烘干，之后放入磁控溅射机内，进行真空热处理，待基片的温度降至室温后，向真空腔体内通入的氩气，使用射频磁控溅射方法沉积AIN多晶薄膜，将压电AIN薄膜放入原子层沉积装置的反应腔体中，并通入气态硅烷，该气态硅烷与压电AIN薄膜反应，向反应腔内通入氧气等离子体，并与气态硅烷和压电AIN薄膜反应获得产物的外露基团反应，以此生成氧化硅，具备了通过采用等离子体增强原子层沉积制备压电AIN薄膜，可以进一步的去除薄膜中的杂质，从而获得更低的电阻率和更高的薄膜致密度，提高了工作效率的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 等离子体 增强 原子 沉积 制备 压电 ain 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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