[发明专利]一种基于水蒸气处理二硫化钨表面P型掺杂的光电晶体管及其制备方法

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种基于水蒸气处理二硫化钨表面P型掺杂的光电晶体管及其制备方法。该方法是将制得的PMMA/Au/WS2/SiO2/Si放入丙酮溶液浸泡去除PMMA薄膜，在Ar气体中150～300℃退火，在水蒸气环境中处理5～60min，得到Au/WS2/SiO2/Si，即为WS2表面P型掺杂的光电晶体管。本发明首次通过水蒸气处理实现了WS2表面P型掺杂，该方法掺杂方式简单，成本低廉，有利于商业化推广，使用WS2表面P型掺杂的光电晶体管。该光电晶体管具有快速光响应、高灵敏度以及高迁移率。为二维材料高性能光电器件供了可能的发展应用前景。