[发明专利]一种基于晶相改进的CdSnO3在审

专利信息
申请号: 202111488928.5 申请日: 2021-12-08
公开(公告)号: CN114062446A 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 陆靖元;孙彦峰;孙鹏;卢革宇 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 刘世纯;王恩远
地址: 130012 吉林省长春市*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 一种基于晶相改进的CdSnO3纳米半导体敏感材料的丙酮气体传感器及其制备方法,属于气体传感器技术领域。其由带有金电极的陶瓷管衬底,涂覆在陶瓷管外表面和金电极上的经过晶相改进的CdSnO3纳米半导体敏感材料和置于陶瓷管内的镍铬加热线圈组成。本发明开发出了具有较高响应值、较快的响应时间和恢复时间、以及较低空气基线电阻的高性能的丙酮气体传感器,检测下限可以达到0.5ppm,响应/恢复时间为1s/10s。另外在最佳工作温度下,传感器的电阻低至6.4kohm,便于集成,在环境监测方面具有良好的应用前景。本发明制作的丙酮气体传感器制作工艺简单,制备方法步骤简便,成本低廉,适合工业上批量生产。
搜索关键词: 一种 基于 改进 cdsno base sub
【主权项】:
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