[发明专利]一种三元重稀土铜硫族化合物晶体的制备方法在审
| 申请号： | 202111489139.3 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114031047A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 付远;邱伊健;张友亮 | 申请（专利权）人： | 江西省科学院应用物理研究所 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;C01G3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330001 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 在光伏,电磁等工业中,高效率，高电磁特性的重稀土三元材料的发现将产生诸多应用,比如透明二极管和透明半导体、功能化窗口等。近来,一些含铜的重稀土化合物作为这些领域的研究探索引起了人们的广泛关注。至今己经发现和合成出的三元重稀土铜硫族化合物产率不高，0~8%左右。而相关重稀土铜硫族化合物的合成鲜有报道，本发明提出了一种重稀土铜硫族化合物的制备方法，并且重稀土总体平均产率能够达到40%以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三元 稀土 铜硫族 化合物 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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