[发明专利]沟槽填充式超级结功率器件及工艺方法在审
| 申请号： | 202111490773.9 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114242591A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽填充式超级结功率器件的工艺方法，其漂移区采用沟槽工艺来形成，与沟槽外围的外延层形成超级结结构，沟槽型漂移区剖面结构为倒梯形结构，其上端横向宽度大于下端的横向宽度，使浅表层的漂移区具有尽可能大的杂质浓度，在超级结结构中更有利于浅表层漂移区的全耗尽，能降低导通电阻。本发明还公开了所述功率器件的工艺方法，采用现有的沟槽刻蚀及填充工艺，降低了工艺难度，实现器件更好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 填充 超级 功率 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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