[发明专利]一种场发射微纳钨发射极的制备方法有效
| 申请号： | 202111496430.3 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114247887B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 秦明礼;吴昊阳;许贺彬;王杰;贾宝瑞;曲选辉;杨军军 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | B22F5/00 | 分类号： | B22F5/00;B22F9/04;B22F3/22;B22F3/10;B22F1/142;B22F1/103;B22F1/065 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种场发射微纳钨发射极的成形方法，属于粉末冶金技术领域。首先采用一次或者多次气流磨处理改善钨粉的粉末状态，得到细粒度、高分散、窄分布近球形钨粉颗粒，有利于在成形阶段形成更加均匀的开孔结构。其次将处理后的粉末进行一次或者多次的煅烧处理，以消除气流磨过程中产生的内应力。再次将该粉末与粘结剂混合均匀制成喂料，在微注射成形设备上成形所需形状和尺寸的钨坯体，最后经脱脂和烧结制备出具有均匀孔隙的场发射微纳钨发射极。本发明显著优化了原料粉末和微粉末注射成形工艺，制备出的场发射微纳钨发射极杂质含量低、孔隙均匀、晶粒尺寸≤1μm，孔径200～800nm，孔隙率15～35％，开孔孔隙度占总孔隙度的95％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 微纳钨 发射极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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