[发明专利]一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件有效
| 申请号： | 202111497826.X | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114014277B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 庞超;龚政;胡诗犇;潘章旭;郭婵;王建太;邹胜晗;李育智;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;H01L21/02;H01L29/24;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 宋南 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件，涉及半导体技术领域。该铜铟硒纳米晶体由铜铟硒纳米晶体的制备方法制备而成，该铜铟硒纳米薄膜由铜铟硒纳米薄膜的制备方法制备而成，其中电子器件包括上述的铜铟硒纳米薄膜。由铜铟硒纳米薄膜的制备方法能够减少副产物的产生，并且通过第一前驱体及第二前驱体制备的铜铟硒纳米晶体会使得纳米晶体表面富含硫元素，进而减少有机长链配体，以实现减少粒子之间的间距，载流子以更短的粒子间距通过相邻纳米晶体之间的势垒，因此其能够增强电子耦合并改善电传输特性，能使得由铜铟硒纳米晶体制备的纳米电子器件的性能得到增强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜铟硒 纳米 晶体 薄膜 及其 制备 方法 电子器件 | ||
【主权项】：
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