[发明专利]IGBT元胞结构和功率器件及制备和控制方法及车辆在审
| 申请号： | 202111498743.2 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN116259656A | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 王慧慧;黄宝伟 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 | 代理人： | 贾玉姣 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT元胞结构和功率器件及制备和控制方法及车辆，IGBT元胞结构包括漂移区；漂移区的正面形成有阱区、第一源区、第一栅极结构和发射电极，其中，阱区和第一源区与发射电极接触，第一栅极结构与阱区、第一源区和发射电极绝缘；漂移区的背面形成有电场截止层、集电区层和集电极，所述集电区层位于所述电场截止层和所述集电极之间；其中，在集电区层远离所述电场截止层的一面形成有第二栅极结构和第二源区，第二栅极结构与集电极绝缘，第二源区与集电极接触。根据本发明的TGBT元胞结构和功率器件及车辆，能够避免出现电流拖尾现象，减小关断损耗，提升IGBT器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 结构 功率 器件 制备 控制 方法 车辆 | ||
【主权项】：
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