[发明专利]一种锑掺杂电化学沉积铜锌锡硫太阳能电池吸收层制备方法有效
申请号: | 202111499816.X | 申请日: | 2021-12-09 |
公开(公告)号: | CN114188442B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 陶加华;胡小波;洪进;江锦春;越方禹;陈少强;敬承斌;杨平雄;褚君浩 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0392;H01L31/0328;C25D9/04 |
代理公司: | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人: | 徐筱梅;张翔 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种锑掺杂电化学沉积铜锌锡硫太阳能电池吸收层制备方法,其特点是该方法包括:将硫酸铜、硫酸锌、硫酸亚锡、硫代硫酸钠、柠檬酸钠和酒石酸钾等化学试剂按一定摩尔比溶解于去离子水溶液中;然后在金属钼背电极上电化学沉积四元铜锌锡硫预制层;再将预制层与锑源粉末进行硫化退火;最后获得到上述锑掺杂电化学沉积铜锌锡硫薄膜太阳能电池吸收层材料。本发明与现有技术相比具有光电性能得到大幅度的提高等优点,较好的解决了电化学沉积铜锌锡硫薄膜太阳能吸收层掺杂的技术难题,通过调控硫化退火过程中锑源的量即可对铜锌锡硫薄膜中锑元素进行精准控制,制备工艺简单,重复性好,成本低廉,具有较好的研究与推广利用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 电化学 沉积 铜锌锡硫 太阳能电池 吸收 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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