[发明专利]功率半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111500478.7 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114141879A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 周源;王超;胡磊;邢岳;杨棂鑫;王振达;罗胡瑞 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京科慧致远知识产权代理有限公司 11739 | 代理人： | 王乾旭;赵红凯 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种功率半导体器件及其制备方法。该功率半导体器件包括：依次层叠设置的第一电极层、半导体基板以及第一层间介质层，半导体基板中设有体区，体区中设有掺杂区；第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽，第一沟槽以及第三沟槽内分别设置有栅极介质层；第一金属插塞、第二金属插塞、第三金属插塞，第一金属插塞位于第一沟槽中，第二金属插塞位于第二沟槽中，第三金属插塞位于第三沟槽中；位于第一层间介质层上的第二层间介质层；间隔设置在第二层间介质层上的第二电极层以及栅极。该功率半导体器件中的沟槽利用金属填充，耐压稳定、电荷低、响应速度快，电阻低，交变信号时反应更快，可以有效降低开关时间。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京燕东微电子科技有限公司，未经北京燕东微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111500478.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示驱动电路及其显示驱动方法
- 下一篇：一种桥梁工程用方便调节的桥梁勘测设备
- 同类专利
- 专利分类
