[发明专利]薄膜沉积方法及设备在审
| 申请号： | 202111505256.4 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114150287A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳新声半导体有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/54 | 分类号： | C23C14/54;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518110 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜沉积方法及设备，方法包括：对圆晶进行多个分步沉积；在分步沉积之间，进行多点的前步沉积厚度检测，得到多点的前步沉积厚度；根据多点的前步沉积厚度分析前步沉积均匀度；判断前步沉积均匀度是否满足要求，若不满足则根据不均匀点分布情况，调整检测的后步沉积的各点局部沉积速率，在检测后继续进行的后步沉积中进行沉积厚度的均匀度补偿。设备包括PVD沉积腔体、光学测试腔体和控制器；用以采用前述方法进行圆晶沉积工艺。本发明通过将同一沉积层薄膜的沉积工艺分为多个分步沉积，在分步沉积之间，进行多点的前步沉积厚度检测及均匀度补偿，使得沉积后的沉积层薄膜厚度均匀，简化后续生产流程，提高生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 沉积 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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