[发明专利]深沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备

摘要

本发明涉及一种深沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备。该深沟道型功率器件版图结构包括版图单元，所述版图单元上包括多条间隔设置的沟道和连接通道，所述沟道和连接通道均为之字形。本发明巧妙地结合了闭孔结构和条纹设计的优点，既避开了闭孔结构的电耦不平衡问题，又有效地增加了MOS管的有效沟道长度，从而使得在相同胞元密度的情况下，导通电阻优于传统条纹形式的沟道设计。