[发明专利]三维存储器件及其制作方法

摘要

本发明公开了三维存储器件及其制作方法，包括衬底，其包括第一区以及第二区；衬垫层，其设置在所述衬底和存储堆叠结构之间；包括交替层叠的多个导电层和电介质层的存储堆叠结构，其设置在所述衬底上并且自所述第一区延伸至所述第二区，其中所述第二区上的所述存储堆叠结构包括阶梯结构，其中所述阶梯结构的台阶分别包括一所述导电层以及一所述电介质层，且所述导电层的侧壁自所述电介质层的侧壁凹入，显露出所述电介质层的部分底面。导电层的侧壁自所述电介质层的侧壁凹入可减少导电层与后续制作的字线接触插塞发生短路的问题。